
| 介绍: | |||
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晶体成长的速率与过饱 和度的关系如上图2所示。当然,结晶器出来的最终的晶体的尺寸不仅仅与晶体成长的速率相关,还与成核速率、耗散速率等有关。成核速率也与过饱和度相关,且受过饱和度影响要较成长速率受其影响来的大,从下图3我们可以看出来。

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结晶成核模型有两种,一个是初级均相成核, 即溶液在不含外来物体时自发产生晶核; 一个是二次成核,即溶液中已有溶质晶体存在的条件下形成晶核的现象。晶体与晶体,晶体与叶轮接触是二次成核的重要成因。然而,结晶器能量的输入对二次结晶也有影响。输入功率越大,晶粒越小。
结合结晶的一些特性,我们可以说低的成核速率可以产生大的单一的晶体。如上图4所示: 在两个结晶器内,过饱和度相同。成核速率为5 的产生了5 个2g 的晶块,而成核速率为40 的则产生了40 个250mg的晶块。大部分结晶器需要产生大的单一的晶体,这是因为这样可以提高晶体的纯度、操作特性和可售性。 为此我们应: 1、控制结晶器内的过饱和度处于介稳区内。 2、选择合适的过饱和度使晶核生长的速率最大。 3、优化结晶器的混合能量的输入。 混合对过饱和度和晶核的形成有重要的影响,它是结晶器设计的基础。上图4为一真空强制循环结晶器。原料液从状态1进入结晶器与结晶器内的状态3 的溶液相混合变成状态2,经过泵的输送到达状态4,进入了介稳定区。这个过程产生的过饱和度被晶体的生长所消耗而到达状态3,这样就完成了一个循环。如果在一个周期里过饱和度没有完全消耗则下一周期将会进一步饱和,一段时间后,整个周期将远 |
| 离甚至高于介稳区,这将对晶体增长和成核产生不利影响,因此,为过饱和的液体提供足够多的混合机会以及足够的结晶表面是非常重要的。否则,晶粒形状将遭受破坏。上述过程可由以下两个公式表示。 |
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| 在一个循环周期里,晶体成长的速率(dm/dt) 取决于过饱和液体的消耗速率,晶体的表面积(A)及过饱和液体的过饱和度(△C)。 二次成核量(B0)取决于混合能量、悬浮密度以及液体的过饱和度。 |
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